Застосування MOSFET-транзисторів на основі карбіду кремнію в електрифікованому транспорті

Abstract

Проведено аналіз фізичних властивостей карбіду кремнію та визначено переваги SiC MOSFET порівняно з традиційними кремнієвими силовими приладами. Розглянуто конструкцію, принцип роботи та особливості використання SiC MOSFET у тягових інверторах, DC/DC-перетворювачах і бортових зарядних пристроях електромобілів. Проаналізовано перспективи розвитку карбід-кремнієвих технологій та оцінено економічну ефективність їх впровадження в сучасний електрифікований транспорт. У розрахунковій частині визначено показники ефективності силового перетворювача на базі SiC MOSFET та виконано оцінку втрат потужності. У розділі охорони праці розроблено заходи щодо забезпечення електробезпеки, нормативних параметрів мікроклімату та санітарно-гігієнічного стану повітря робочої зони.